IBM e la nuova memoria più veloce delle Flash

In realtà non è proprop nuova come tecnologia, ma IBM è riuscita ad ultimare una nuova memoria chiamata PCM, ovvero a cambiamento di fase. La nuova memoria ha una combinazione incredibile in quanto a prestazioni input/output, resistenza e densità, non perde i dati memorizzati in assenza di energia come la RAM e le Flash SSD (anche se a lungo termine) e hanno una vita media lunghissima: si parla di almeno 10 milioni di cicli di scrittura, contro i 3.000 cicli di una comune chiavetta USB. Inoltre, lle prestazioni arrivano ad essere 50 volte più veloci dell’attuale Flash.

La Phase Change Memory come tecnologia non è nuova, come suddetto, in quanto è  già stata impiegata da una quindicina di anni nel settore dei supporti ottici, data la difficoltà di conservare grosse quantità di dati; ora però, i ricercatori dei lab IBM hanno trovato il modo di aumentare la quantità di dati memorizzabili raggiungendo i 3 bit per cella. Il fissaggio dei bit avviene applicando una tensione elettrica bassa o alta al materiale di cui è composto il supporto. Come molti materiali biologici, il sistema di cui è composta può assumere conformazioni molto diverse: una configurazione amorfa (senza struttura) o una configurazione cristallina (struttura precisa ed ordinata); insomma come fanno i cristalli liquidi.

Gli impieghi di questo tipo di memoria potrebbero essere tantissimi: dai supporti per PC SSD alle memorie per smartphone.La tecnologia è comunque ancora in fase di sviluppo e ci vorrà qualche anno prima di vederla in commercio e al lavoro sui primi device.