Nuovo importante traguardo raggiunto da Samsung nel settore delle memorie, con il nuovo annuncio da parte della stessa azienda coreana dell’avvio della produzione in massa dei chip da 8 GB DDR4 in tecnologia 10 nm. I precedenti, a 20 nanometri, erano stati introdotti nel 2014.
Con il nuovo processo produttivo, le nuove memorie garantiscono prestazioni superiori di un buon 30% rispetto alle precedenti, raggiungendo i 3.200 Megabit al secondo rispetto ai 2.400 Mbps dei moduli DDR4 a 20 nanometri.
Inoltre, viene migliorata anche la produttività dei wafer da cui vengono ricavate le memorie e anche in questo caso parliamo del 30%. Infine, ma parliamo forse del dato più importante, c’è la questione consumi. Sia che queste memorie verranno alloggiate all’interno degli smartphone, sia che vengano ospitate all’interno di PC/server, il minor consumo può avere degli impatti importantissimi. In questo caso si parla di un minor consumo che va dal 10 al 20% rispetto a un modulo equivalente prodotto a 20 nanometri.
Il colosso di memorie punta nel cercare di “invadere” il mercato con questo tipo di memorie già nel corso di quest’anno con un’ampia gamma di moduli che andranno dai 4GB per notebook ai 128GB per i server. Non mancheranno nemmeno i moduli DRAM, che arriveranno verso la fine dell’anno, dedicati agli smartphone di prima classe.
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