IBM annuncia la memoria ibrida “Phase Change”: 275 volte più veloce di un SSD

Il colosso americano IBM, ha di recente annunciato una novità assoluta che rivoluzionerà il mondo delle memorie in generale. Era stata menzionata in una notizia, qualche anno fa, la tecnologia “Phase Change” che, stando a quando dichiarato dal colosso informatico, dovrebbe sostituire gli attuali chip NAND Flash, racchiudendo insieme Memorie Phase Change, DRAM e NAND e tutto questo sembrerebbe quasi pronto nell’impiego dei dispositivi di prossime generazioni.

Ma cos’è la Memoria Phase Change? Tale tecnologia non è altro che una memoria solida composta da una lega di germanio, antimonio e tellurio che cambia stato nel momento in cui viene attraversata da una corrente, passando da uno strato cristallino e quello amorfo e di conseguenza modificando la sua resistenza. I vantaggi? Beh, elevatissimo transfer-rate, tempi di latenza bassissimi e maggiori cicli di scrittura rispetto ai chip NAND.

Quindi una memoria Ibrida che permetterebbe di avere prestazioni fino a 275 volte superiori ad una singola unità SSD su interfaccia PCI-E. Tecnologia che sicuramente farà molto parlare di se non solo per le prestazioni ma per i costi di produzione che questa tipologia di memoria necessita.

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