Samsung: avviata la produzione delle RAM DDR4 a 10nm di seconda generazione

Samsung ha iniziato a produrre la seconda generazione di memorie RAM DDR4 DRAM da 8-gigabit con tecnologia a 10nanometri.

L’azienda è riuscita a migliorare ulteriormente le prestazioni, ma sopratutto l’efficienza energetica nonostante le dimensioni dei chip siano state ridotte. Le nuove memorie DDR4 da 8Gb a 10nm di seconda generazione offrono un guadagno della produttività del +30% rispetto al modello precedente.

Per quanto riguarda il miglioramento prestazionale e di efficienza energetica troviamo invece un +10 e +15% grazie alla nuova tecnologia proprietaria di progettazione dei circutiti.

Vi ricordiamo che la nuova memoria DDR4 può lavorare a 3600 megabit al secondo (Mbps) per pin, la prima generazione aveva un massimo di 3200 Mbps.

Il presidente, Gyoyoung Jin, della divisione Memory Business di Samsung ha dichiarato quanto segue:

Sviluppando tecnologie innovative nella progettazione e nel processo dei circuiti DRAM, abbiamo superato quella che è stata una delle principali barriere per la scalabilità delle DRAM. Grazie ad un rapido incremento delle DRAM di seconda generazione con classe 10 nm, amplieremo la nostra produzione complessiva di DRAM di classe 10 nm in modo più aggressivo, al fine di soddisfare la forte domanda del mercato e continuare a rafforzare la nostra competitività commerciale.